LTC1159/LTC1159-3.3/LTC1159-5
应用S我FOR ATIO
K（ V
IN
)
2
(I
最大
) (C
RSS
) (f)
V
P沟道P
D
=
OUT
(I
最大
)
2
(1 +
∂
P
) R
DS （ ON）
+
V
IN
V –V
N-CH P
D
=
IN OUT
(I
最大
)
2
(1 +
∂
N
) R
DS （ ON）
V
IN
哪里
∂
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和K
是一个常数成反比关系的栅极驱动电流。
两个MOSFET有我
2
ř损失，而P沟道
公式包含一个附加的术语转换损耗，
这是最高的，在高输入电压。对于V
IN
< 20V的
大电流EF网络效率普遍提高较大
的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V的转换损耗迅速
增加的点，使用了更高的R
DS （ ON）
器件具有较低的ç
RSS
实际上提供了更高的艾菲
效率。所述N沟道MOSFET的损失是最大的，在
高输入电压或短路期间，当N-
信道的占空比接近100％ 。
术语（1+
∂)
在形式的MOSFET通常给出
归一化的R
DS （ ON）
与温度的曲线，但
∂
= 0.007 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。 ç
RSS
通常是特定网络版中的MOSFET
电特性。常数k = 5 ，可用于
的LTC1159来估计的相对贡献
两个术语中的P沟道耗散方程。
在图1中仅示出导通的肖特基二极管D1
在2的导通之间的死区时间
功率MOSFET。 D1防止的体二极管
从接通和存储电荷的N沟道MOSFET
在死区时间，这可能会在成本高达1 ％
效率（尽管有，如果没有其他的有害影响
D1被省略） 。因此，D1应选择一个
低于0.6V进行时，我正向电压
最大
.
C
IN
和C
OUT
选择
在连续模式下， P沟道的源极电流
MOSFET是方波的占空比V
OUT
/V
IN
.
为了防止大的瞬态电压，低ESR的输入
尺寸电容RMS电流的最大值必须是
使用。最大RMS电容器的电流由下式给出：
[V (V – V )]
1/2
I
C
IN
需要我
RMS
≈
MAX OUT IN OUT
V
IN
U
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，其中，
I
RMS
= I
最大
/ 2 。这个简单的最坏的情况是的COM
常用的设计，因为即使是显著的偏差
没有提供多少援助。需要注意的是电容制造商
纹波电流额定值往往仅基于2000小时
生活。这使得它建议进一步减免了
电容器，或选择额定在更高的电容器
比需要的温度。多个电容器可
并联以满足大小或高度要求
设计。一个附加的0.1μF的陶瓷电容器也可以是
在V要求
IN
高频去耦。
C的选择
OUT
由所需的有效驱动
串联电阻（ESR ） 。 C的ESR
OUT
必须小于
R的值的两倍
SENSE
为正确操作
LTC1159 ：
C
OUT
所需的ESR < 2R
SENSE
通过使ESR等于获得最佳效率
R
SENSE
。制造商，如尼吉康， Chemicon公司，并
斯普拉格应考虑为高性能钙
pacitors 。该OS- CON半导体介质电容器
三洋具有最低的ESR为它的大小在
略高的价格。一旦ESR要求
C
OUT
已经满足， RMS额定电流一般远
超过了我
纹波（P- P）的
要求。
在表面贴装应用中的多个电容器可
已经被并联以满足容量，ESR，或RMS
该应用程序的电流处理要求。 Alumi-
NUM电解干钽电容都
表面贴装CON连接gurations 。如果是
钽，该电容器的浪涌测试，这是至关重要的
在开关电源的使用。一个很好的选择是
在AVX TPS系列表面贴装钽电容，可
如果高度范围从2mm到4毫米。例如，
如果200μF / 10V的要求在应用程序需要3毫米
高度， 2 AVX 100μF / 10V （P / N TPSD107K010 ）可能是
使用。查阅制造商的其他具体recom-
mendations 。
在低电源电压，将C的最小值
OUT
is
建议为了防止异常低频率能操作
阿婷模式（参见图4）。当C
OUT
过小，则
输出纹波在低频率将是足够大的，以
跳闸电压比较。这会导致突发模式
操作被激活时， LTC1159将
通常是在连续操作。效果最
W
U U
9
LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
