LTC1435A
应用信息
一个固定的电感值，但它是非常依赖于电感
tance选择。随着电感增加，磁芯损耗走
下来。不幸的是，增加了电感需要更多的
导丝的，因此，铜的损失将增加。
铁素体的设计具有非常低的磁芯损耗和优选
在高开关频率，因此设计目标可以
专注于铜损和防止饱和。
铁氧体磁芯材料饱和“硬”，这意味着IN-
感抗突然崩溃时的峰值电流的设计
被超过。这导致电感器的突然增加
纹波电流和由此产生的输出电压纹波。
别
使芯饱和！
钼坡莫合金（从磁公司）是一种很不错的，低
损失芯材为环形的，但它比更昂贵
铁素体。来自同一制造一个合理的妥协
商是库尔Mμ 。环形磁芯是非常节省空间，尤其是
当你可以使用丝好几层。因为他们
普遍缺乏的梭芯，安装是比较困难的。然而
以往，表面贴装设计可这不
增加高度显著。
功率MOSFET和D1选择
两个外部功率MOSFET必须选择与使用
该LTC1435A ：一个N沟道MOSFET的顶部（主）
开关和一个N沟道MOSFET的底部（同步的
理性）开关。
的峰对峰的栅极驱动电平由INTV设置
CC
电压。这个电压通常在启动期间5V（见
EXTV
CC
引脚连接） 。因此，逻辑电平阈值
老MOSFET必须在最LTC1435A应用中使用。
唯一的例外是在EXTV应用
CC
is
从外部供给大于8V供电（必须是
小于10V ），在这种标准阈值的MOSFET
(V
GS （ TH）
< 4V）可被使用。密切关注BV
DSS
规范了MOSFET的为好;许多逻辑电平的
的MOSFET被限制为30V或更少。
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
DS （ ON）
，反向传输电容C
RSS
，在 -
把电压和最大输出电流。当
LTC1435A是在连续模式中操作的工作循环
对于顶部和底部MOSFET是由下式给出：
U
W
U
U
(
V
−
V
)
同步开关的占空比=
IN OUT
V
IN
该MOSFET的功耗最大输出电流
租金由下式给出：
V
2
P
主
=
OUT
(
I
最大
) (
1
+
δ
)
R
DS
(
ON
)
+
V
IN
k
(
V
IN
)
1.85
V
主开关管的占空比=
OUT
V
IN
(
I
最大
)(
C
RSS
)(
f
)
V
−
V
2
P
SYNC
=
IN OUT
(
I
最大
) (
1
+
δ
)
R
DS
(
ON
)
V
IN
哪里
δ
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和K
是一个常数成反比关系的栅极驱动电流。
两个MOSFET有我
2
ř损失，而上部
N沟道方程包括一个附加项为转录
习得的损失，这是最高的，在高输入电压。
对于V
IN
< 20V的高电流效率通常IM-
证明具有较大的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V的
转换损耗迅速增加的点，使用
较高的R
DS （ ON）
器件具有较低的ç
RSS
实际亲
志愿组织更高的效率。同步MOSFET的损失
是最大的，在高输入电压或短路期间
当占空比在这个开关是接近100％。参考
为进一步的应用程序的折返电流限制部分
阳离子信息。
术语（1+
δ)
在形式的MOSFET通常给出
归一化的R
DS （ ON）
与温度的曲线，但
δ
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。 ç
RSS
通常是特定网络版中的MOSFET
的特点。常数k = 2.5可以用来估计
配合这两个词的贡献，在主开关
耗散方程。
肖特基二极管D1在图1所示过程中进行
的两个大的导通之间的死区时间
功率MOSFET。这防止了bot-的体二极管
汤姆的MOSFET由在导通和存储电荷
死区时间，这可能会在效率成本高达1 ％ 。
为1A肖特基一般为3A监管好尺寸。
9
LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
