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LTE-2871 参数 Datasheet PDF下载

LTE-2871图片预览
型号: LTE-2871
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内容描述: GaAlAs的T-1 3/4改性红外发光二极管 [GaAlAs T-1 3/4 Modified Infrared Emitting Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 275 K
品牌: LITEON [ LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION ]
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GaAlAs的T-1
3
/
4
修改5
红外发光二极管
LTE-2871/LTE-2871C
特点
选择特定的上线强度和辐射意向
sity范围。
低成本的塑料结束找包。
T-1
3
/
4
改装套件。
在LTE- 2871系列采用镓铝
在砷化镓砷化镓红外窗口层
发光二极管。
包装尺寸
描述
在LTE- 2871系列高强度铝镓
砷化镓红外发光二极管装在透明塑料
抽动症到底找包。在LTE- 2871系列提供
广泛强度选择。后缀C-烟
彩色镜片。
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.公差为0.25mm ( 0.010" ),除非另有说明。
在法兰3出刃树脂为1.5mm ( 0.059" )最大。
4.引线间距是衡量地方的线索从何而来
该程序包。
5.规格如有变更,恕不另行通知。
在Ta = 25绝对最大额定值
参数
功耗
峰值正向电流( 300pps , 10
连续正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
[自体1.6毫米( 0.063英寸)
脉搏)
最大额定值
90
1
60
5
-40
-55
260
+85
+100
5秒
单位
mW
A
mA
V
在大的电光学特性= 25
参数
*孔径辐射发病率
辐射强度
峰值发射波长
谱线半宽
正向电压
反向电流
视角(参见图6)
2
V
F
I
R
1
符号
Ee
Ie
PEAK
分钟。
0.7
5.25
典型值。
1.6
12
940
50
1.2
马克斯。
单位
毫瓦/平方厘米
2
毫瓦/ SR
nm
nm
TEST
条件
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
V
R
=5V
1.6
100
V
A
2
/
2
16
注:* Ee由所述平均辐射入射时的感测面积1cm的垂直于测量和
集中在从透镜的透镜和26.8毫米的机械轴。
10-12