LITE -ON
半导体
MBR1670CT通16100CT
反向电压
- 70
to
100
伏
正向电流
- 16
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属，多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
whelling ，和极性保护应用
B
C
K
针
1
2
3
TO-220AB
L
M
D
A
E
TO-220AB
马克斯。
分钟。
DIM 。
14.22
15.88
A
9.65
10.67
B
C
2.54
3.43
D
5.84
6.86
9.28
8.26
E
F
G
I
J
G
H
F
机械数据
案例： TO- 220AB模压塑料
极性：标明阀体上
重量0.08盎司， 2.24克
安装位置：任意
H H
销1
3脚
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均RectifiedCurrent
在T
C
= 100 ℃（参见图1 ）
符号
E
P
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定VR ）
最大正向
电压（注1 ）
R
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
F
M
I
L
MBR1670CT
70
49
70
I
R
N
80
56
80
A
销2
例
N
R
2.29
2.79
1.14
0.51
I
J
0.30
0.64
K
3.53
4.09
3.56
4.83
L
M
1.14
1.40
2.92
2.03
N
在毫米波所有尺寸
Y
-
12.70
6.35
14.73
I
MBR1680CT
MBR1690CT
90
63
90
16
125
MBR16100CT
100
70
100
单位
V
V
V
A
A
V /美
10000
0.85
0.75
0.95
0.85
0.1
100
275
2.0
-55到+150
-55到+175
@I
F
=8A
@I
F
=8A
@I
F
=16A
@I
F
=16A
T
J
=25 C
T
J
=125 C
T
J
=25 C
T
J
=125 C
V
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容，
每个元素（注2 ）
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
mA
pF
C / W
C
C
C
J
R
0JC
T
J
T
英镑
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
注： 1。 300US脉宽， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
REV 。 2 - PRE ， 13月， 2001年， KTHC14
LITEON [ LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION ]
