LITE -ON
半导体
MBR4030PT通4060PT
反向电压
- 30
to
60
伏
正向电流
- 40
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属，多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
whelling ，和极性保护应用
A
P
G
Q
O
针
1
2
3
TO-3P
F
E
TO-3P
分钟。
马克斯。
15.75
16.25
21.25
21.75
20.10
19.60
3.78
4.38
1.88
2.08
4.87
5.13
4.4TYP.
1.90
2.16
2.93
3.22
1.12
1.22
2.90
3.20
5.20
5.70
2.10
2.40
0.76
0.51
2.18
1.93
B
K
D
H
C
N
机械数据
案例： TO- 3P模压塑料
极性：标明阀体上
重量：0.2盎司， 5.6克
安装位置：任意
J
I
L
销1
3脚
L
M
销2
例
20 （典型值）
10 TYP
在毫米波所有尺寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBR
4030PT
30
21
30
MBR
4035PT
35
24.5
35
MBR
4040PT
40
28
40
40
400
10000
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
0.80
0.70
-
-
MBR
4045PT
45
31.5
45
MBR
4050PT
50
35
50
MBR
4060PT
60
42
60
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参见图1 ）
符号
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
@T
C
=
125 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定VR ）
最大正向
电压（注1 ）
I
FSM
dv / dt的
A
V /美
V
I
F
= 20A @ T
J
=25 C
I
F
= 20A @ T
J
=125 C
I
F
= 40A @ T
J
=25 C
I
F
= 40A @ T
J
=125 C
反向电流最大DC
@T
J
=25 C
在额定阻断电压DC
@T
J
=125 C
典型热阻（注2 ）
典型结电容
每个元素（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
R
0JC
mA
C / W
pF
C
J
T
J
T
英镑
注： 1。 300US脉宽， 2 ％的占空比。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
C
C
REV 。 2 ， 01日-12月2000 KTH11
LITEON [ LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION ]
