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SMBJ30CA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SMBJ30CA
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内容描述: 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 [Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors]
分类和应用: 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 255 K
品牌: LITTELFUSE [ LITTELFUSE ]
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硅雪崩二极管
600W表面贴装瞬态电压抑制器
SMBJ系列
特点
对于以优化表面安装应用程序
®
电路板空间
低廓包
内置应变消除
玻璃钝化结
低电感
出色的钳位能力
重复率(占空比) :0.01%
快速响应时间:通常小于1.0ps从0伏特至
BV单向类型
典型的IR小于1mA以上10V
高温焊接: 250¡C / 10秒码头
塑料包装有保险商实验室
阻燃性94V -O
最大额定值@ 25°C环境温度
与特点(除非另有说明)
参数
峰值脉冲功率耗散的
10 / 1000μs波
(注意1,2 ,图1 )
在10 \\ 1000μs峰值脉冲电流
波形(注1 ,图3 )
峰值正向浪涌电流, ​​8.3ms的
单半正弦波叠加
在额定负荷( JEDEC的方法)
(注2.3 )
工作结存储
温度范围
符号
PPPM
价值
600
单位
机械特性
案例: JEDEC DO214AA 。模压塑料多玻璃钝化
连接点
终端:焊接镀,每MIL -STD- 750焊接的
方法2026
极性。色环表示正端(阴极)除外
IPPM
请参阅表1安培
双向
标准包装:12毫米磁带( EIA STF RS - 481 )
重量:0.003盎司, 0.093克
IPSM
100
安培
双极性应用的器件
对于双向使用C或用于各类CA后缀SMBJ5.0直通类型
SMBJ110 (例如SMBJ5.OC , SMBJ170CA )
电特性的应用在两个方向上
TJ , TSTG
-55到+150
-55到+150
°C
注1:非重复性电流脉冲,每个图3及以上的降额
按图2 TA = 25℃
注2.安装在5.0平方毫米( 0.03毫米厚)铜垫给每个
终奌站
注3: 8.3ms单一正弦半波,或等效的方波,
占空比= 4个脉冲每分钟
W W瓦特升I T T E升˚F美即C 0米
1