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2SA1037 参数 Datasheet PDF下载

2SA1037图片预览
型号: 2SA1037
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内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistors(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 145 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
3
集热器
2SA1037AK*LT1
3
1
BASE
2
辐射源
1
2
CASE 318-08 ,风格6
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
SOT- 23 ( TO- 236AB )
价值
–50
–60
–6.0
–150
0.2
150
-55 ~+150
单位
V
V
V
MADC
W
°C
°C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
器件标识
2SA1037AK * LT1 = G3F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1毫安)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= – 50
µA)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= – 50
µA)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= – 60 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= – 6 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
/ I
B
= - 80毫安/ - 5米A)
直流电流传输比
(V
CE
= - 6 V,I
C
= -1mA )
跃迁频率
(V
CE
= - 12 V,I
E
= 2毫安, F = 30MHz的)
输出电容
(V
CB
= - 12 V,I
E
= 0A , F = 1MHz的)
符号
V
( BR ) CEO
– 50
–6
– 60
120
典型值
––
140
4.0
最大
– 0.1
– 0.1
-0.5
560
––
5.0
单位
V
V
V
µA
µA
V
––
兆赫
pF
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
h
FE
值被分类如下:
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
M35–1/3