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BAP63-03 参数 Datasheet PDF下载

BAP63-03图片预览
型号: BAP63-03
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内容描述: 硅PIN二极管 [Silicon PIN diode]
分类和应用: 二极管测试
文件页数/大小: 2 页 / 111 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
 浏览型号BAP63-03的Datasheet PDF文件第2页  
乐山无线电公司, LTD 。
硅PIN二极管
特点
·高速开关的射频信号
·低电容二极管
·低二极管正向电阻
·极低的串联电感
·对于申请到3 GHz 。
应用
· RF衰减器和开关。
描述
在SOD323小SMD塑料包装平面PIN二极管。
BAP63 - 03
1
2
SOD523 SC- 79
1
阴极
2
阳极
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
I
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
< 90℃
条件
分钟。
-65
-65
马克斯。
50
100
500
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
条件
I
F
-50毫安
V
R
=35 V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
I
F
= 0.5毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 1毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 10毫安; F = 100 MHz的;注1
|s
21
|
2
隔离
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的;注1
V
R
= 0; F = 900兆赫
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 0.5毫安; F = 900兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 2450 MHz的
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
典型值。
0.95
0.4
0.35
0.27
2.5
1.95
1.17
0.9
15.4
10.1
7.8
0.21
0.28
0.38
0.18
0.26
0.35
0.13
0.20
0.30
0.10
0.18
0.28
马克斯。
1.1
10
0.32
3.5
3
1.8
1.5
单位
V
nA
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
r
D
二极管的正向电阻
|s
21
|
2
插入损耗
|s
21
|
2
插入损耗
S25–1/2