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BC858BWT1 参数 Datasheet PDF下载

BC858BWT1图片预览
型号: BC858BWT1
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内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistors(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 215 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
这些晶体管被设计用于一般目的
放大器应用。它们都装在SOT -323 /
SC- 70是专为低功耗表面贴装
应用程序。
1
BASE
3
集热器
BC856AWT1 , BWT1
BC857AWT1 , BWT1
BC858AWT1 , BWT1
CWT1
3
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BC856
–65
–80
–5.0
–100
BC857
–45
–50
–5.0
–100
BC858
–30
–30
–5.0
–100
单位
V
V
V
MADC
1
2
CASE 419-02 ,花柱3
SOT- 323 / SC- 70
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
器件标识
BC856AWT1 = 3A ; BC856BWT1 = 3B ; BC857AWT1 = 3E ; BC857BWT1 = 3F ;
BC858AWT1 = 3J ; BC858BWT1 = 3K ; BC858CWT1 = 3L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= –10
µA,
V
EB
= 0)
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
V
( BR ) CEO
– 65
– 45
– 30
– 80
– 50
– 30
– 80
– 50
– 30
– 5.0
– 5.0
– 5.0
– 15
– 4.0
v
BC857系列
BC858系列
集电极 - 基极击穿电压BC856系列
(I
C
= – 10
µA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= – 1.0
µA)
BC857系列
BC858系列
BC856系列
V
( BR ) CES
v
V
( BR ) CBO
v
BC857系列,
BC858系列
集电极截止电流(V
CB
= – 30 V)
(V
CB
= - 30 V ,T
A
= 150°C)
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062in
V
( BR ) EBO
v
nA
µA
I
CBO
K5–1/5