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BC858CLT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BC858CLT1
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内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistors(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 208 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
1
BASE
3
集热器
2
辐射源
BC856ALT1 , BLT1
BC857ALT1 , BLT1
BC858ALT1 , BLT1
CLT1
单位
V
V
1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BC856
–65
–80
–5.0
–100
BC857
–45
–50
–5.0
–100
BC858
–30
–30
–5.0
–100
3
V
MADC
2
I
C
CASE 318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
R
θJA
T
J
, T
英镑
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
器件标识
BC856ALT1 = 3A ; BC856BLT1 = 3B ; BC857ALT1 = 3E ; BC857BLT1 = 3F ;
BC858ALT1 = 3J ; BC858BLT1 = 3K ; BC858CLT1 = 3L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= –10
µA,
V
EB
= 0)
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
V
( BR ) CEO
– 65
– 45
– 30
– 80
– 50
– 30
– 80
– 50
– 30
– 5.0
– 5.0
– 5.0
– 15
– 4.0
v
V
( BR ) CES
v
集电极 - 基极击穿电压BC856系列
(I
C
= – 10
µA)
BC857系列
BC858系列
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= – 1.0
µA)
BC856系列
BC857系列,
BC858系列
V
( BR ) CBO
v
V
( BR ) EBO
I
CBO
v
nA
µA
集电极截止电流(V
CB
= – 30 V)
(V
CB
= - 30 V ,T
A
= 150°C)
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062in
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
M5–1/5