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BCW68GLT1 参数 Datasheet PDF下载

BCW68GLT1图片预览
型号: BCW68GLT1
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内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistors(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 53 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
 浏览型号BCW68GLT1的Datasheet PDF文件第2页  
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
BCW68GLT1
3
集热器
1
BASE
1
2
3
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
价值
– 45
– 60
– 5.0
– 800
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
CASE 318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
BCW68GLT1 = DH
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= -10 MADC ,我
B
= 0 )
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= –10
μAdc ,
V
EB
= 0 )
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= –10
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -45伏直流,我
E
= 0 )
(V
CE
= -45伏直流,我
B
= 0 , T
A
= 150°C)
发射极截止电流(V
EB
= - 4.0伏,我
C
= 0)
1, FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
– 45
– 60
– 5.0
VDC
VDC
VDC
I
CES
– 20
– 10
– 20
NADC
μAdc
NADC
M12–1/2