乐山无线电公司， LTD 。
小信号MOSFET
115毫安， 60伏
N沟道SOT- 23
•
铅？免费的封装。
L2N7002LT1
3
1
2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0 MΩ)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C（注1 ）
- 连续
T
C
= 100 ° C（注1 ）
- 脉冲（注2 ）
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
50
µs)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
V
dc
V
dc
MADC
CASE 318风格21
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
115毫安
60伏特
R
DS （ ON）
= 7.5
W
N - 通道
3
V
GS
V
GSM
±20
±40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注3 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注4 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J,
T
英镑
417
-55〜
+150
° C / W
°C
单位
1
mW
毫瓦/°C的
2
R
θJA
P
D
° C / W
mW
毫瓦/°C的
标记图
＆放大器;引脚分配
漏
3
702
W
1
2
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%.
3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。
门
702
W
来源
=器件代码
=工作周
订购信息
设备
L2N7002LT1
L2N7002LT1G
记号
702
702
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
L2N7002LT1–1/3
LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
