乐山无线电公司, LTD 。
小信号MOSFET
115毫安, 60 V
N沟道SOT- 323
•
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
L2N7002WT1G
3
1
2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0 MΩ)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2 )
栅源电压
- 连续
- 不重复( TP
≤
50
µs)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
V
dc
V
dc
MADC
SOT- 323 ( SC- 70 )
115毫安
60伏特
R
DS ( ON)
= 7.5
W
N - 通道
3
V
GS
V
GSM
±20
±40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注4 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J,
T
英镑
417
-55〜
+150
° C / W
°C
单位
1
mW
毫瓦/°C的
2
R
θJA
P
D
° C / W
mW
毫瓦/°C的
标记图
&放大器;引脚分配
漏
3
6C
W
1
2
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 %的氧化铝。
门
6C
W
来源
=器件代码
=工作周
订购信息
设备
L2N7002WT1G
L2N7002WT3G
记号
6C
6C
航运
3000磁带&卷轴
10000
磁带&卷轴
1/4