LBC857BLT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LBC857BLT1G
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内容描述：	通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistors PNP Silicon]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 147 K
品牌：	LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]

乐山无线电公司， LTD 。

通用晶体管

PNP硅

•

湿度敏感度等级： 1

•

ESD额定值 - 人体模型： >4000 V

ESD额定值

- 机器型号： >400 V

•

无铅包可用

最大额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

LBC856

LBC857

LBC858 ， LBC859

LBC856

LBC857

LBC858 ， LBC859

符号

VCEO

价值

–65

–45

–30

–80

–50

–30

–5.0

–100

单位

LBC856ALT1

系列

SOT–23

集电极 - 基极电压

VCBO

收集或

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

VEBO

MADC

B酶

热特性

特征

器件总功耗FR - 5局，

（注1 ） TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

器件总功耗氧化铝

基板，（注2 ） TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度

符号

225

1.8

qJA

300

2.4

qJA

TJ ， TSTG

417

-55〜

+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

556

毫瓦/°C的

° C / W

最大

单位

EMIT牛逼ER

标记图

XX =器件标识

（见下表）

在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

LBC856ALT1S-1/7

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