LBSS123LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LBSS123LT1G
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内容描述：	N沟道功率MOSFET [N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 99 K
品牌：	LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]

乐山无线电公司， LTD 。

N沟道功率MOSFET

LBSS123LT1

特征

无铅封装。

LBSS123LT1

设备标记和订购信息

设备

LBSS123LT1

LBSS123LT1G

LBSS123LT3

LBSS123LT3G

记号

（无铅）

航运

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

SOT-23

漏

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

µs)

漏电流

连续（注1 ）

脉冲（注2 ）

符号

VDSS

VGS

VGSM

IDM

价值

100

±20

±40

0.17

0.68

单位

VDC

VPK

ADC

门

来源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5

董事会（注3 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到

环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

qJA

TJ ， TSTG

556

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

LBSS123LT1–1/4

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