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LMBTA42LT1G 参数 Datasheet PDF下载

LMBTA42LT1G图片预览
型号: LMBTA42LT1G
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内容描述: HighVoltageTransistors [HighVoltageTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 80 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
高电压晶体管
无铅封装。
设备标记和订购信息
设备
LMBTA42LT1
LMBTA42LT1G
LMBTA43LT1
LMBTA43LT1G
记号
1D
1D
(无铅)
M1E
M1E
(无铅)
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
航运
3000/Tape&Reel
LMBTA42LT1
LMBTA43LT1
3
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
LMBTA42 LMBTA43
300
300
6.0
500
200
200
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
SOT–23
3
集热器
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 200V直流,我
E
= 0)
( V
CB
= 160VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
( V
EB
= 6.0VDC ,我
C
= 0)
( V
EB
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
LMBTA42
LMBTA43
LMBTA42
LMBTA43
I
EBO
0.1
0.1
LMBTA42
LMBTA43
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
VDC
300
200
VDC
300
200
6.0
VDC
μAdc
0.1
0.1
μAdc
LMBTA42
LMBTA43
V
( BR ) CBO
I
CBO
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度<300
µs,
占空比<2.0 % 。
LMBTA42/43LT1-1/4