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    LP2301LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    LP2301LT1G图片预览
    型号： LP2301LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20V P沟道增强型MOSFET [20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 810 K
    品牌： LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
     浏览型号LP2301LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LP2301LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LP2301LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LP2301LT1G的Datasheet PDF文件第5页  
    乐山无线电公司， LTD 。
    LP2301LT1G
    电气特性
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    漏源导通电阻
    漏源导通电阻
    栅极阈值电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    栅极电阻
    正向跨导
    动态
    3)
    符号
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    Rg
    g
    fs
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250uA
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -2.8A
    V
    GS
    = -2.5V ，我
    D
    = -2.0A
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    = -250uA
    V
    DS
    = -9.6V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = ±8V, V
    DS
    = 0V
    -20
    -
    69
    83
    -
    100
    150
    -0.95
    -1
    ±100
    V
    mΩ
    mΩ
    V
    uA
    nA
    Ω
    -0.45
    V
    DS
    = -5V ，我
    D
    = -4.0A
    6.5
    S
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    马克斯。二极管的正向电流
    二极管的正向电压
    注意：
    脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，值班cycle< = 2 ％
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    V
    DS
    = -6V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0 MHz的
    V
    DD
    = -6V ，R
    L
    = 6Ω
    Ι
    D
    = −1Α,
    V
    根
    = -4.5V
    R
    G
    = 6Ω
    V
    DS
    = -6V ，我
    D
    = -2.8A
    V
    GS
    = -4.5V
    15.23
    5.49
    2.74
    17.28
    3.73
    36.05
    6.19
    882.51
    145.54
    97.26
    pF
    ns
    nC
    I
    S
    V
    SD
    I
    S
    = -0.75A ，V
    GS
    = 0V
    -0.8
    -2.4
    -1.2
    A
    V
    2/3

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