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MBD110DWT1 参数 Datasheet PDF下载

MBD110DWT1图片预览
型号: MBD110DWT1
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内容描述: 双肖特基势垒二极管 [Dual SCHOTTKY Barrier Diodes]
分类和应用: 二极管测试
文件页数/大小: 5 页 / 241 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
双肖特基势垒二极管
应用电路设计正在走向巩固
设备数量和成更小的封装。新的SOT- 363封装
一个解决方案,它简化了电路设计,减少了设备数量,并
通过把两个分立器件于一体的小六减小电路板空间
引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵,如便携式
产品。
6
5
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
4
表面贴装比较:
面积(mm)
最大包P
D
( mW)的
2
SOT–363
4.6
120
2
SOT–23
7.6
225
1
1
2
3
设备数量
SOT–363
CASE 419B -01 ,类型6
节省空间:
SOT–363
1 × SOT -23
40%
2 × SOT -23
70%
阴极
6
N / C
5
阳极
4
该MBD110DW , MBD330DW和MBD770DW设备分拆我们的流行
MMBD101LT1 , MMBD301LT1和MMBD701LT1 SOT- 23器件。它们被设计
对于高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。随时提供给其他很多
快速切换的RF和数字应用。
•极低的少数载流子寿命
•非常低电容
·低反向漏
1
阳极
2
N / C
3
阴极
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
前向功率耗散
T
A
= 25°C
结温
存储温度范围
P
F
T
J
T
英镑
符号
V
R
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55到+150
单位
VDC
mW
°C
°C
器件标识
MBD110DWT1 = M4
MBD330DWT1 = T4
MBD770DWT1 = H5
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
MBD110–1/5