乐山无线电公司， LTD 。
双路通用晶体管
该MBT3904DW1T1 ， MBT3906DW1T1和MBT3946DW1T1设备
分拆了我们广受欢迎的SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它们被设计
通用放大器应用和被收容在SOT -363 6 -含铅
表面贴装封装。通过把两个分立器件在一个封装中，这些装置
非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
•
h
FE
, 100–300
•
低V
CE （ SAT ）
,
3
0.4 V
•
简化网络连接的ES电路设计
•
板级空间缩小
•
减少了元件数量
•
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
1
MBT3904DW1T1
MBT3906DW1T1
MBT3946DW1T1
6
5
4
请参阅表
2
3
SOT–363/SC–88
CASE 419B风格1
6
5
5
4
6
5
4
6
4
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
1
1
2
3
1
2
3
2
3
MBT3946DW1T1
*Q
1
同MBT3906DW1T1
Q
2
同MBT3904DW1T1
MBT3904DW1T1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MBT3904DW1T1 （ NPN ）
MBT3906DW1T1 （ PNP ）
集电极 - 基极电压
MBT3904DW1T1 （ NPN ）
MBT3906DW1T1 （ PNP ）
发射极 - 基极电压
MBT3904DW1T1 （ NPN ）
MBT3906DW1T1 （ PNP ）
集电极电流 - 连续
MBT3904DW1T1 （ NPN ）
MBT3906DW1T1 （ PNP ）
静电放电
V
CBO
符号
V
首席执行官
MBT3906DW1T1
电压
单位
V
40
–40
V
60
–40
V
EBO
V
6.0
–5.0
I
C
200
–200
ESD
HBM>16000,
MM>2000
MADC
V
热特性
特征
器件总功耗（ 1 ）
T
A
= 25°C
热阻，
结到环境
结存储
温度
符号
P
D
最大
150
单位
mW
订购信息
设备
MBT3904DW1T1
MBT3906DW1T1
MBT3946DW1T1
包
SOT–363
SOT–363
SOT–363
航运
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
R
θJA
T
J
, T
英镑
833
-55到+150
° C / W
°C
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
MBT3904–1/12
LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
