乐山无线电公司， LTD 。
肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管，主要用于高效率的UHF和VHF设计
探测器的应用程序。随时提供给其他很多快速切换的RF和数字
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC-70封装，其目的是为
低功率表面贴装应用。
•极低的少数载流子寿命
•非常低电容
·低反向漏
•可在8毫米磁带和卷轴
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
3
1
2
CASE 419-02 ，花柱2
器件标识
MMBD110T1 = 4M
最大额定值
等级
反向电压
SOT - 323 / SC - 70
MMBD330T1 = 4T
MMBD770T1 = 5H
符号
V
R
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55〜 + 150℃
典型值
10
—
—
0.88
0.9
0.5
20
13
9.0
6.0
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
单位
VDC
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
前向功率耗散
T
A
= 25°C
结温
存储温度范围
P
F
T
J
T
英镑
mW
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
反向击穿电压
V
（ BR ）R
(I
R
= 10
µA)
MMBD110T1
7.0
MMBD330T1
MMBD770T1
二极管电容
(V
R
= 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
(V
R
= 15伏中，f = 1.0 MHz）的
(V
R
= 20伏中，f = 1.0 MHz）的
反向漏
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 25 V)
(V
R
= 35 V)
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
C
T
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
I
R
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
NF
MMBD110T1
V
F
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
70
最大
—
—
—
单位
伏
pF
1.0
1.5
1.0
NADC
250
200
200
dB
—
VDC
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
MMBD110 。 330. 770T1-1 / 4
LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
