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MMBT2484LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2484LT1图片预览
型号: MMBT2484LT1
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内容描述: 低噪声晶体管( NPN硅) [Low Noise Transistor(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 207 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
MMBT2484LT1
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏,T
A
= 25°C)
噪声电压
30
30
带宽= 1.0赫兹
20
20
带宽= 1.0赫兹
e
n
噪声电压(内华达州)
10
7.0
5.0
3.0毫安
1.0毫安
e
n
噪声电压(内华达州)
I
C
= 10毫安
~
R
S
~ 0
R
S
~
0
~
F = 10赫兹
100赫兹
7.0
10
1.0千赫
5.0
10千赫
300µA
3.0
10
20
50 100
200
500 1 k
2k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
3.0
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
100千赫
5.0
10
男,频率(Hz )
I
C
,集电极电流(毫安)
图2.影响频率
10
7.0
5.0
20
图3.影响集电极电流
带宽= 1.0赫兹
NF ,噪声系数(dB )
I
n
,噪声电流(PA )
I
C
= 10毫安
3.0毫安
1.0毫安
300
µA
100
µA
10
µA
50 100
200
500 1 k
2k
16
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
I
C
= 1.0毫安
8.0
500毫安
百毫安
4.0
10毫安
R
S
~
0
~
0.1
10
20
30
µA
0
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
10
20
50 100
200
500 1 k
2k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男,频率(Hz )
R
S
,源电阻(欧姆)
图4.噪声电流
图5.宽带噪声图
100 Hz的噪声数据
10
20
V
T
,总噪声电压(内华达州)
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
10
带宽= 1.0赫兹
300
µA
100
µA
30
µA
10
µA
I
C
= 10毫安
16
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= 10毫安
3.0毫安
1.0毫安
12
300
µA
8.0
3.0
µA
1.0
µA
100
µA
4.0
30
µA
带宽= 1.0赫兹
10
µA
0
20
50 100
200
500 1 k
2k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
10
20
50 100
200
500 1 k
2k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
R
S
,源电阻(欧姆)
R
S
,源电阻(欧姆)
图6.总的噪声电压
图7.噪声系数
O7–3/4