欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBT2907AWT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907AWT1图片预览
型号: MMBT2907AWT1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 53 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
 浏览型号MMBT2907AWT1的Datasheet PDF文件第2页  
乐山无线电公司, LTD 。
初步信息
通用晶体管
PNP硅
MMBT2907AWT1
这些晶体管被设计用于一般目的
mplifier应用。它们都装在SOT -323 /
SC- 70封装,是专为低功耗表面
安装应用程序。
3
集热器
1
1
BASE
2
3
2
辐射源
CASE 419-02 ,花柱3
SOT - 323 / SC - 70
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
– 60
– 60
– 5.0
– 600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
器件标识
MMBT2907AWT1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 2 )
(I
C
= - 10 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= - 10 MADC ,我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -10μAdc ,我
C
= 0)
基地截止电流
( V
CE
= -30Vdc ,V
EB (O FF )
= -0.5Vdc )
收藏家Cuto FF电流
( V
CE
= -30Vdc ,V
EB (O FF )
= -0.5Vdc )
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µs,
占空比< 2.0 % 。
V
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
–60
VDC
–60
–5.0
– 50
– 50
VDC
VDC
NADC
NADC
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
K2–1/2