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MMBT3906LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906LT1图片预览
型号: MMBT3906LT1
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内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 223 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
MMBT3906LT1
典型静态特性
2.0
h
FE
,直流电流增益(标准化)
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
V
CE
= 1.0 V
+25°C
–55°C
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
图13.直流电流增益
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
0.6
10毫安
30毫安
百毫安
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
I
B
,基极电流(毫安)
图14.集电极饱和区
1.2
1.0
T
J
= 25°C
1.0
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
=10
0.5
V
BE
@ V
CE
=1.0 V
V,电压(V )
0.8
系数(毫伏/ ℃)
θ
VC
对于V
CE ( SAT )
+ 25 ° C至+ 125°C
0
-55℃〜 + 25℃
– 0.5
0.6
+ 25 ° C至+ 125°C
–1.0
0.4
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
=10
0.2
-55℃〜 + 25℃
–1.5
θ
VB
对于V
BE ( SAT )
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
–2.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
C,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图15为“ON”电压
图16.温度系数
O12–5/5