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MMBT5089LT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT5089LT1
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内容描述: 低噪声晶体管( NPN硅) [Low Noise Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 209 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
低噪声晶体管
NPN硅
集热器
3
MMBT5088LT1
MMBT5089LT1
3
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
5088LT
30
35
4.5
50
15089LT1
25
30
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局( 1 )
T
A
=25 °C
减免上述25℃
热阻,结到环境
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+ 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
P
D
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
=25
°C
减免上述25
°C
热阻,结到环境
结温和存储温度
器件标识
MMBT5088LT1 = 1Q ; MMBT5089LT1 = 1R
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR ) CEO
MMBT5088
MMBT5089
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 20伏直流,我
E
= 0 )
(V
CB
最大
单位
VDC
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
30
25
V
( BR ) CBO
MMBT5088
MMBT5089
I
CBO
MMBT5088
MMBT5089
50
50
35
30
NADC
VDC
= 15 VDC ,我
E
= 0 )
发射Cuto FF电流
(V
EB (O FF )
= 3.0VDC ,我
C
= 0)
MMBT5088
I
EBO
NADC
50
100
(V
EB (O FF )
= 4.5VDC ,我
C
= 0)
MMBT5089
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
M18–1/4