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MMBT5401LT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT5401LT1
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内容描述: 高压晶体管( PNP硅) [High Voltage Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管高压
文件页数/大小: 4 页 / 163 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
高压晶体管
PNP硅
MMBT5401LT1
3
集热器
3
1
BASE
1
2
2
辐射源
318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
– 150
– 160
– 5.0
– 500
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局( 1 )
T
A
=25 °C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
R
θJA
T
J
, T
英镑
2.4
417
–55to+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
556
300
P
D
器件标识
MMBT5401LT1=2L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR ) CEO
– 150
V
( BR ) CBO
– 160
V
( BR ) EBO
-5.0
I
CES
– 50
– 50
NADC
μAdc
VDC
VDC
马X
单位
VDC
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= –100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -10μAdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -120伏,我
E
= 0)
(V
CB
= -120伏,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
M19–1/4