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MMBT5550LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5550LT1图片预览
型号: MMBT5550LT1
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内容描述: 高压晶体管( NPN硅) [High Voltage Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管高压
文件页数/大小: 4 页 / 163 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
高电压晶体管
NPN硅
1
BASE
3
集热器
MMBT5550LT1
MMBT5551LT1
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
2
辐射源
价值
140
160
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBT5550LT1 = M1F , MMBT5551LT1 = G1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0)
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
µs,
占空比= 2.0 % 。
I
CBO
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
I
EBO
100
50
100
50
50
NADC
μAdc
NADC
MMBT5550
MMBT5551
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
140
160
V
( BR ) CBO
160
180
6.0
VDC
MMBT5550
MMBT5551
VDC
VDC
M20–1/4