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MMBT6520 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT6520
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内容描述: 高压晶体管( PNP硅) [High Voltage Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 5 页 / 164 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
高压晶体管
PNP硅
MMBT6520LT1
3
集热器
1
BASE
1
2
辐射源
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
价值
–350
–350
–5.0
–250
–500
单位
VDC
VDC
VDC
mA
MADC
CASE 318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
R
θJA
T
J
, T
英镑
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
P
D
器件标识
MMBT6520LT1 = 2Z
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= -1.0毫安)
集电极 - 基极击穿电压(I
E
= –100
µA
)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= –10
µA)
集电极截止电流(V
CB
= –250V )
发射极截止电流(V
EB
= –4.0V )
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
–350
–350
–5.0
–50
–50
VDC
VDC
VDC
nA
nA
M24–1/5