欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBTA42LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA42LT1图片预览
型号: MMBTA42LT1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高压晶体管( NPN硅) [High Voltage Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 3 页 / 101 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
 浏览型号MMBTA42LT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA42LT1的Datasheet PDF文件第3页  
乐山无线电公司, LTD 。
高电压晶体管
NPN硅
3
集热器
1
BASE
MMBTA42LT1
MMBTA43LT1
3
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
MMBTA42 MMBTA43
300
300
6.0
500
200
200
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBTA42LT1 = 1D ; MMBTA43LT1 = M1E
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 200V直流,我
E
= 0)
( V
CB
= 160VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
( V
EB
= 6.0VDC ,我
C
= 0)
( V
EB
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
I
EBO
0.1
0.1
MMBTA42
MMBTA43
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
VDC
300
200
VDC
300
200
6.0
VDC
μAdc
0.1
0.1
μAdc
MMBTA42
MMBTA43
V
( BR ) CBO
I
CBO
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度<300
µs,
占空比<2.0 % 。
M28–1/3