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    MMBTA93LT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA93LT1图片预览
    型号： MMBTA93LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压晶体管（ PNP硅） [High Voltage Transistor(PNP Silicon)]
    分类和应用： 晶体晶体管高压
    文件页数/大小： 3 页 / 95 K
    品牌： LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
     浏览型号MMBTA93LT1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBTA93LT1的Datasheet PDF文件第2页  
    乐山无线电公司， LTD 。
    MMBTA92LT1 MMBTA93LT1
    150
    T
    J
    = +125°C
    V
    CE
    = -10伏直流
    h
    FE
    ，直流电流增益
    100
    +25°C
    70
    50
    –55°C
    30
    20
    15
    –1.0
    –2.0
    –3.0
    –5.0
    –7.0
    –10
    –20
    –30
    –50
    –80 –100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图1.直流电流增益
    f
    T
    型，电流增益 - 带宽积（兆赫）
    100
    50
    100
    80
    60
    T
    J
    = 25°C
    V
    CE
    = -20伏直流
    C
    ib
    C，电容（pF ）
    20
    10
    40
    30
    5.0
    20
    2.0
    C
    cb
    1.0
    –0.1 –0.2
    –0.5 –1.0 –2.0
    –5.0 –10
    –20
    –50 –100 –200
    –500 –1000
    0
    –1.0
    –2.0
    –5.0
    –10
    –20
    –50
    –100
    V
    R
    ，反向电压（伏）
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图2的电容
    –1.0
    图3.电流增益 - 带宽积
    –0.8
    V，电压（V ）
    V
    BE
    @ V
    CE
    = –10 V
    –0.6
    –0.4
    –0.2
    V
    CE （ SAT ）
    @ I
    C
    /I
    B
    = 10毫安
    0
    –1.0
    –2.0
    –5.0
    –10
    –20
    –50
    –100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图4. “开”电压
    M32–3/3

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