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MMBV432LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBV432LT1图片预览
型号: MMBV432LT1
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内容描述: 硅调谐二极管 [Silicon Tuning Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 72 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
 浏览型号MMBV432LT1的Datasheet PDF文件第2页  
乐山无线电公司, LTD 。
硅调谐二极管
该器件是专为FM调谐,频率一般控制和
调整,或者最顶级的线的任何应用程序需要背到背二极管CON-
成形的最小信号失真和失谐。该设备被提供
在SOT- 23塑料封装的高容量,取放组装
要求。
高图的Merit- Q = 150 (典型值) @ V
R
= 2.0伏, F = 100 MHz的
保证电容范围
双二极管 - 节省空间和降低成本
表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
单芯片提供了改进的匹配 - 保证
±
1.0 %(最大值)
在指定的调谐范围
1
2
MMBV432LT1
可变电压
容二极管
3
1
2
CASE 318-08 ,风格9
SOT- 23 ( TO- 236AB )
3
最大额定值(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
14
200
225
1.8
+125
-55到+125
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
器件标识
MMBV432LT1=M4B
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
=10µAdc)
反向电压漏电流
(V
R
=9.0Vdc)
二极管电容
(V
R
= 2.0伏, F = 1.0MHz的)
电容比C2 / C8
(f=1.0MHz)
勋章图
(V
R
= 2.0伏, F = 100MHz时)
符号
V
( BR )R
I
R
C
T
C
R
Q
14
43
1.5
100
典型值
150
最大
100
48.1
2.0
单位
VDC
NADC
pF
MMBV432–1/2