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MMBV609LT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBV609LT1
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内容描述: 硅调谐二极管 [Silicon Tuning Diode]
分类和应用: 二极管变容二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 54 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
 浏览型号MMBV609LT1的Datasheet PDF文件第2页  
乐山无线电公司, LTD 。
硅调谐二极管
该器件是专为FM调谐,频率一般控制和
调整,或者最顶级的线的任何应用程序需要背到背二极管
配置最低的信号失真和失谐。该装置是
在SOT- 23塑料封装的高容量提供的,取放
装配要求。
高品质因数
Q = 450 (典型值) @ V
R
= 3.0伏, F = 50 MHz的
保证电容范围
双二极管 - 节省空间和降低成本
表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
单芯片提供了改进的匹配
超突变结工艺提供高调谐比
1
2
MMBV609LT1
可变电压
容二极管
3
CASE 318-08 ,风格9
SOT- 23 ( TO- 236AB )
1
2
3
最大额定值(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
20
100
225
1.8
+125
-55到+150
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
器件标识
MMBV609LT1=5L
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
=10µAdc)
反向电压漏电流
(V
R
=15Vdc)
二极管电容
(V
R
= 3.0伏, F = 1.0MHz的)
电容比C3 / C8
(f=1.0MHz)
勋章图
(V
R
= 3.0伏, F = 50MHz的)
符号
V
( BR )R
I
R
C
T
C
R
Q
20
26
1.8
250
典型值
450
最大
10
32
2.4
单位
VDC
NADC
pF
MMBV609LT1–1/2