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    MMUN2111LT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMUN2111LT1图片预览
    型号： MMUN2111LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 143 K
    品牌： LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
     浏览型号MMUN2111LT1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMUN2111LT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMUN2111LT1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMUN2111LT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMUN2111LT1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMUN2111LT1的Datasheet PDF文件第7页  
    乐山无线电公司， LTD 。
    MMUN2111LT1系列
    器件标识和电阻值
    设备
    MMUN2111LT1
    MMUN2111LT3
    MMUN2112LT1
    MMUN2112LT3
    MMUN2113LT1
    MMUN2113LT3
    MMUN2114LT1
    MMUN2114LT3
    MMUN2115LT1 （注3 ）
    MMUN2115LT3
    MMUN2116LT1 （注3 ）
    MMUN2116LT3
    MMUN2130LT1 （注3 ）
    MMUN2130LT3
    MMUN2131LT1 （注3 ）
    MMUN2131LT3
    MMUN2132LT1 （注3 ）
    MMUN2132LT3
    MMUN2133LT1 （注3 ）
    MMUN2133LT3
    MMUN2134LT1 （注3 ）
    MMUN2134LT3
    包
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    SOT–23
    记号
    A6A
    A6B
    A6C
    A6D
    A6E
    A6F
    A6G
    A6H
    A6J
    A6K
    A6L
    R1 （ K）
    10
    22
    47
    10
    10
    4.7
    1.0
    2.2
    4.7
    4.7
    22
    R2 （ K）
    10
    22
    47
    47
    ∞
    ∞
    1.0
    2.2
    4.7
    47
    47
    航运
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    万/磁带&卷轴
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    符号
    民
    典型值
    最大
    单位
    开关特性
    集电极 - 基极截止电流（V
    CB
    = 50 V，I
    E
    = 0)
    集电极 - 发射极截止电流（V
    CE
    = 50 V，I
    B
    = 0)
    发射基截止电流
    (V
    EB
    = 6.0 V，I
    C
    = 0 )
    MMUN2111LT1
    MMUN2112LT1
    MMUN2113LT1
    MMUN2114LT1
    MMUN2115LT1
    MMUN2116LT1
    MMUN2130LT1
    MMUN2131LT1
    MMUN2132LT1
    MMUN2133LT1
    MMUN2134LT1
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    50
    50
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    100
    500
    0.5
    0.2
    0.1
    0.2
    0.9
    1.9
    4.3
    2.3
    1.5
    0.18
    0.13
    –
    –
    NADC
    NADC
    MADC
    集电极 - 基极击穿电压（I
    C
    = 10
    µA,
    I
    E
    = 0)
    集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
    (I
    C
    = 2.0毫安，我
    B
    = 0)
    3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
    4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
    µs,
    占空比< 2.0 ％
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    VDC
    VDC
    MMUN2111S–2/11

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