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型号: MUN2215T1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 158 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个设备和
其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻晶体管)中含有
与单片偏置网络包括两个电阻单个晶体管;一
一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些indi-
维杜阿尔组件由
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59封装,是
专为低功率表面贴装应用。
•简化电路设计
- 减少电路板空间
•减少元件数量
•湿度敏感度等级: 1
• ESD额定值 - 人体模型:第1类
ESD额定值
- 机器型号:B类
•在SC- 59封装可以采用波或回流焊接。修改
焊接消除了在鸥翼引线吸收热应力
可能损坏模具。
•提供8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
MUN2211T1
系列
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
2
1
SC–59
CASE 318D ,风格1
销2
BASE
(输入)
R
1
3脚
集热器
(输出)
R
2
销1
辐射源
(接地)
MARKINGDIAGRAM
器件标识信息
*请参阅在设备本数据手册的第2页上的标识表中的特定标识的信息。
8X
M
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
符号
价值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
V
CBO
V
首席执行官
I
C
符号
P
D
50
50
100
8X =具体设备守则*
M =日期代码
单位
VDC
VDC
MADC
最大
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
230 (注1 )
338 (注2)
1.8 (注1 )
2.7 (注2)
540 (注1 )
370 (注2)
264 (注1 )
287 (注2)
-55到+150
MUN2211T1系列 - 1月11日