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型号: MUN5113T1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 201 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。在BRT消除了整合这些单独的组件
他们在单一设备中。使用BRT可降低系统成本
和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323包
这是专为低功耗表面贴装应用。
MUN5111T1
系列
PNP硅
偏置电阻
晶体管
3
1
2
CASE 419 ,花柱3
SOT- 323 ( SC- 70 )
销2
销1
BASE
(输入)
R
1
集热器
(输出)
3脚
辐射源
(接地)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。
焊接过程中修改后的鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
R
2
MARKINGDIAGRAM
可在8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴。
器件标识信息
具体见标识信息在设备上的该数据的第2页标记表
表。
6X
X
M
6X
M
=具体设备守则
= (参见标记表)
=日期代码
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
符号
价值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
V
CBO
V
首席执行官
I
C
符号
P
D
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
最大
202 (注1)
310 (注2)
1.6 (注1 )
2.5 (注2)
618 (注1 )
403 (注2)
280 (注1 )
332 (注2)
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
MUN5111T1系列 - 1月11日