LT6164JL-8ET 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LT6164JL-8ET
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内容描述：	8K ×8位高速CMOS SRAM [8K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 234 K
品牌：	LYONTEK [ Lyontek Inc. ]

LY6164

修订版1.4

8K ×8位高速CMOS SRAM

数据保持特性

参数

数据保留

数据保持电流

芯片禁用到数据

保留时间

恢复时间

=读周期时间

符号

CDR

测试条件

CE＃

≧

- 0.2V

或CE2

≦

0.2V

= 2.0V

CE＃

≧

- 0.2V或CE2

≦

0.2V

其他人在0.2V或V

-0.2V

看到数据保留

波形（下）

分钟。

2.0

典型值。

0.6

马克斯。

5.5

单位

数据保存波形

低Vcc的数据保存波形（ 1 ）

(

CE＃

控制）

≧

2.0V

VCC

VCC （分钟）

CDR

CE＃

≧

Vcc-0.2V

VCC （分钟）

低Vcc的数据保存波形（ 2 ）

（ CE2控制）

≧

2.0V

VCC

VCC （分钟）

CDR

CE2

≦

0.2V

VCC （分钟）

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