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LY6164
修订版1.4
8K ×8位高速CMOS SRAM
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
LY6164-8
LY6164-10 LY6164-12 LY6164-15单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
8
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10
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12
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15
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ns
-
8
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10
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12
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15
ns
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8
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10
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12
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15
ns
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5
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6
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7
ns
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2
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4
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ns
0
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0
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0
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0
-
ns
-
4
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5
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6
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7
ns
-
4
-
5
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6
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7
ns
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
LY6164-8
LY6164-10 LY6164-12 LY6164-15单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
8
-
10
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12
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15
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ns
6.5
-
8
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10
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12
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ns
6.5
-
8
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10
-
12
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ns
0
-
0
-
0
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0
-
ns
6.5
-
8
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9
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10
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ns
0
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0
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0
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0
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ns
5
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ns
0
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0
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0
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0
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ns
1.5
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3
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4
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6
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7
-
8
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
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4
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