LY611024LL-15LLI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LY611024LL-15LLI
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内容描述：	128K ×8位高速CMOS SRAM [128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 269 K
品牌：	LYONTEK [ Lyontek Inc. ]

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LY611024

修订版1.6

写周期1

（ WE＃控制）（ 1,2,3,5,6 ）

地址

CE＃

CE2

WE＃

WHZ

DOUT

(4)

高-Z

DIN

(4)

128K ×8位高速CMOS SRAM

数据有效

写周期2

（ CE ＃和CE2控制）（ 1,2,5,6 ）

地址

CE＃

CE2

WE＃

WHZ

DOUT

(4)

高-Z

DIN

数据有效

注意事项：

1.我们＃，CE ＃必须是高还是CE2必须在所有的地址转换为低。

低CE ＃， CE2高，低WE＃重叠期间发生2.A写。

3.During一个WE＃控制的写周期OE ＃低，T

必须大于吨

WHZ

+ t

以使驾驶者关闭和数据是

放置在总线上。

4.During此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。

5.如果CE＃低转换和CE2高的转变同时发生或之后WE＃低电平的转换，输出保持在高

阻抗状态。

6.t

和T

WHZ

用C指定

= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。

5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。

电话： 886-3-6668838

传真： 886-3-6668836

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