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LY611024
修订版1.6
128K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY611024是1,048,576位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为131072
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY611024是精心设计的超高速
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY611024单电源工作
供应4.5V 〜 5.5V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间： 12 / 15ns的
低功耗：
工作电流： 50 / 40毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 1mA（典型值）。
2μA （典型值） LL -version
单4.5V 〜 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 32引脚300密耳SOJ
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
产品系列
产品
家庭
LY611024
LY611024(E)
LY611024(I)
LY611024(LL)
LY611024(LLE)
LY611024(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
12/15ns
12/15ns
12/15ns
12/15ns
12/15ns
12/15ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）
工作（ICC ， TYP 。 ）
1mA
50/40mA
1mA
50/40mA
1mA
50/40mA
2µA
50/40mA
2µA
50/40mA
2µA
50/40mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A16
DQ0 - DQ7
解码器
128Kx8
存储阵列
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A16
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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