®
LY6125616
修订版2.4
写周期3
(
LB ＃ ， UB ＃
控制）
(1,2,5,6)
t
WC
地址
t
AW
CE＃
t
AS
LB ＃ ， UB ＃
t
WP
WE＃
t
WHZ
DOUT
(4)
高-Z
t
DW
DIN
t
DH
t
CW
t
BW
t
WR
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
数据有效
注意事项：
1.我们＃ ， CE ＃ ， LB ＃ ， UB ＃必须在所有的地址转换高。
低CE ＃ ，低WE＃ ， ＃ LB或UB ＃ =低重叠期间发生2.A写。
3.During一个WE＃控制的写周期OE ＃低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+ t
DW
以使驾驶者关闭和数据放置
上车。
4.During此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。
5.如果CE ＃ ， LB ＃ ，同时发生或之后WE＃低转换瑞银低电平的转换，输出保持在高阻抗状态。
6.t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。
数据保持特性
参数
符号
测试条件
分钟。
V
CC
数据保留
V
DR
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
2.0
10
-
V
CC
= 2.0V
15/20/25
-
数据保持电流
I
DR
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V 15/20 / 25LL
-
看到数据保留
芯片禁用到数据
0
t
CDR
波形（下）
保留时间
恢复时间
t
R
t
RC
*
t
RC
*
=读周期时间
典型值。马克斯。单位
-
5.5
V
-
10
mA
0.05
2
mA
10
50
µA
-
-
-
-
ns
ns
数据保存波形
V
DR
≧
2.0V
VCC
VCC （分钟）
t
CDR
CE＃
V
IH
CE＃
≧
Vcc-0.2V
VCC （分钟）
t
R
V
IH
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
8
LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
