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LY61256
修订版1.7
32K ×8位高速CMOS SRAM
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
SYM 。 LY61256-8 LY61256-10 LY61256-12 LY61256-15单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
8
-
10
-
12
-
15
-
ns
t
AA
-
8
-
10
-
12
-
15
ns
t
ACE
-
8
-
10
-
12
-
15
ns
t
OE
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
t
CLZ
*
2
-
2
-
3
-
4
-
ns
t
OLZ
*
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
t
CHZ
*
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
t
OHZ
*
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
t
OH
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
SYM 。 LY61256-8 LY61256-10 LY61256-12 LY61256-15单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
WC
8
-
10
-
12
-
15
-
ns
t
AW
6.5
-
8
-
10
-
12
-
ns
t
CW
6.5
-
8
-
10
-
12
-
ns
t
AS
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
t
WP
6.5
-
8
-
9
-
10
-
ns
t
WR
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
t
DW
5
-
6
-
7
-
8
-
ns
t
DH
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
t
OW
*
1.5
-
2
-
3
-
4
-
ns
t
WHZ
*
-
5
-
6
-
7
-
8
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
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4
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