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LY61256
修订版1.7
32K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY61256是262,144位高速CMOS
静态随机存取存储器组织为32768
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY61256是精心设计的高速
系统应用。易扩展是通过提供
采用低电平有效芯片使能（ CE ＃ ） 。活跃
LOW写使能（WE ＃ ）控制写入和
读存储器。
该LY61256单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间：8 /10/ 12 / 15ns的
低功耗：
工作电流：110 /100/ 90 / 80毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 1mA（典型值）。
2μA （典型值）， LL-版
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装：28引脚300密耳SOJ
28引脚300密耳瘦P- DIP
28引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
产品系列
产品
家庭
LY61256
LY61256(E)
LY61256(I)
LY61256(LL)
LY61256(LLE)
LY61256(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
8/10/12/15ns
8/10/12/15ns
8/10/12/15ns
8/10/12/15ns
8/10/12/15ns
8/10/12/15ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
1mA
110/100/90/80mA
1mA
110/100/90/80mA
1mA
110/100/90/80mA
110/100/90/80mA
2μA(LL)
110/100/90/80mA
2μA(LL)
110/100/90/80mA
2μA(LL)
功能框图
VCC
VSS
引脚说明
符号
A0 - A14
DQ0 - DQ7
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
A0-A14
解码器
32Kx8
存储阵列
CE＃
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
控制
电路
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