LY61256RL-12LL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LY61256RL-12LL
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内容描述：	32K ×8位高速CMOS SRAM [32K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 232 K
品牌：	LYONTEK [ Lyontek Inc. ]

LY61256

修订版1.7

32K ×8位高速CMOS SRAM

写周期1

（ WE＃控制）（ 1,2,3,5,6 ）

地址

CE＃

WE＃

WHZ

DOUT

(4)

高-Z

DIN

(4)

数据有效

写周期2

（ CE ＃控制）（ 1,2,5,6 ）

地址

CE＃

WE＃

WHZ

DOUT

(4)

高-Z

DIN

数据有效

注意事项：

1.我们＃，CE ＃必须在所有的地址转换高。

低CE ＃，低WE＃重叠期间发生2.A写。

3.During一个WE＃控制的写周期OE ＃低，T

必须大于吨

WHZ

+ t

以使驾驶者关闭和数据是

放置在总线上。

4.During此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。

5.如果CE＃同时发生或之后WE＃低电平跳变低电平的转换，输出保持在高阻抗状态。

6.t

和T

WHZ

用C指定

= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。

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