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LY615128ML-15ET 参数 Datasheet PDF下载

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型号: LY615128ML-15ET
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内容描述: 5V 512K ×8位高速CMOS SRAM [5V 512K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 160 K
品牌: LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
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®
LY615128
修订版1.3
5V 512K ×8位高速CMOS SRAM
真值表
模式
待机
输出禁用
注意:
CE#
H
L
L
L
OE #
X
H
L
X
WE#
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中,L = V
IL
,X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
V
IN
V
SS
输出漏
V
CC
V
OUT
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -4mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 8毫安
-10
周期时间=最小。
平均开工
I
CC
CE# = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
-12
电源电流
其他在V
IL
或V
IH
-15
CE# = V
IH ,
其他在V
IL
或V
IH
I
SB
待机功耗
CE#
V
CC
- 0.2V
电源电流
I
SB1
其他人在0.2V或V
CC
- 0.2V
注意事项:
1. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
(分钟) = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点,而不是100 %测试。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
( TYP。 )和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
分钟。
4.5
2.2
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
280
250
220
50
10*
5
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
-
-
220
200
180
5
1
电容
(T
A
= 25
中,f = 1.0MHz的)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注:这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
传真: 886-3-6668836
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