LY62102516 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LY62102516
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内容描述：	1024K x 16位低功耗CMOS SRAM [1024K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 191 K
品牌：	LYONTEK [ Lyontek Inc. ]

LY62102516

修订版0.3

写周期3

（磅＃

， UB ＃

控制）

(1,2,5,6)

地址

CE＃

CE2

LB ＃， UB ＃

WE＃

WHZ

DOUT

(4)

高-Z

DIN

1024K x 16位低功耗CMOS SRAM

数据有效

注意事项：

1.我们＃， CE ＃， LB ＃， UB ＃必须是高还是CE2必须在所有的地址转换为低。

低CE ＃， CE2高，低WE＃，＃ LB或UB ＃ =低重叠期间发生2.A写。

3.During一个WE＃控制的写周期OE ＃低，T

必须大于吨

WHZ

+ t

以使驾驶者关闭和数据是

放置在总线上。

4.During此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。

5.如果CE ＃， LB ＃， UB ＃低转换和CE2高的转变同时发生或之后WE＃低电平的转换，输出保持

在高阻抗状态。

6.t

和T

WHZ

用C指定

= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。

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