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    LY6225616GL-70LLIG 参数 Datasheet PDF下载

    LY6225616GL-70LLIG图片预览
    型号： LY6225616GL-70LLIG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K x 16位低功耗CMOS SRAM [256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 274 K
    品牌： LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
     浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号LY6225616GL-70LLIG的Datasheet PDF文件第13页  
    ®
    LY6225616
    REV 。 1.5
    写周期3
    （磅＃
    ， UB ＃
    控制）
    (1,2,5,6)
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    CE＃
    t
    AS
    LB ＃ ， UB ＃
    t
    WP
    WE＃
    t
    WHZ
    DOUT
    (4)
    高-Z
    t
    DW
    DIN
    t
    DH
    t
    CW
    t
    BW
    t
    WR
    256K x 16位低功耗CMOS SRAM
    数据有效
    注意事项：
    1.我们＃ ， CE ＃ ， LB ＃ ， UB ＃必须在所有的地址转换高。
    低CE ＃ ，低WE＃ ， ＃ LB或UB ＃ =低重叠期间发生2.A写。
    3.During一个WE＃控制的写周期OE ＃低，T
    WP
    必须大于吨
    WHZ
    + t
    DW
    以使驾驶者关闭和数据是
    放置在总线上。
    4.During此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。
    5.如果CE ＃ ， LB ＃ ，同时发生或之后WE＃低转换瑞银低电平的转换，输出保持在高阻抗
    状态。
    6.t
    OW
    和T
    WHZ
    用C指定
    L
    = 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。
    Lyontek公司
    保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
    5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
    电话： 886-3-6668838
    传真： 886-3-6668836
    8

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