欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

LY622568PL-70SLT 参数 Datasheet PDF下载

LY622568PL-70SLT图片预览
型号: LY622568PL-70SLT
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256K ×8位低功耗CMOS SRAM [256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 293 K
品牌: LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
 浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号LY622568PL-70SLT的Datasheet PDF文件第9页  
®
LY622568
修订版2.4
256K ×8位低功耗CMOS SRAM
电容
(T
A
= 25
中,f = 1.0MHz的)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注:这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ,我
OH
/I
OL
= -2mA / 4毫安
AC电气特性
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能,以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
( 2 )写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
LY622568-45
分钟。
马克斯。
45
-
-
45
-
45
-
25
10
-
5
-
-
15
-
15
10
-
LY622568-55
分钟。
马克斯。
55
-
-
55
-
55
-
30
10
-
5
-
-
20
-
20
10
-
LY622568-70
分钟。
马克斯。
70
-
-
70
-
70
-
35
10
-
5
-
-
25
-
25
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
LY622568-45
分钟。
马克斯。
45
-
40
-
40
-
0
-
35
-
0
-
20
-
0
-
5
-
-
15
LY622568-55
分钟。
马克斯。
55
-
50
-
50
-
0
-
45
-
0
-
25
-
0
-
5
-
-
20
LY622568-70
分钟。
马克斯。
70
-
60
-
60
-
0
-
55
-
0
-
30
-
0
-
5
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
传真: 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
4