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LY622568PL-70LL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: LY622568PL-70LL
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内容描述: 256K ×8位低功耗CMOS SRAM [256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 293 K
品牌: LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
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®
LY622568
修订版2.4
256K ×8位低功耗CMOS SRAM
数据保持特性
参数
符号
测试条件
V
CC
数据保留
V
DR
CE#
V
CC
- 0.2V或CE2
0.2V
LL
V
CC
= 1.5V
CE#
V
CC
- 0.2V
数据保持电流
I
DR
SL
或CE2
0.2V
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
SL
看到数据保留
芯片禁用到数据
t
CDR
波形(下)
保留时间
恢复时间
t
R
t
RC
*
=读周期时间
分钟。
1.5
-
25℃
40℃
典型值。
-
1
1
1
1
-
-
马克斯。
5.5
20
4
4
15
-
-
-
-
-
0
t
RC
*
单位
V
µA
µA
µA
µA
ns
ns
数据保存波形
低Vcc的数据保存波形( 1 )
(
CE#
控制)
V
DR
1.5V
VCC
VCC (分钟)
t
CDR
CE#
V
IH
CE#
Vcc-0.2V
VCC (分钟)
t
R
V
IH
低Vcc的数据保存波形( 2 )
( CE2控制)
V
DR
1.5V
VCC
VCC (分钟)
t
CDR
CE2
CE2
0.2V
V
IL
V
IL
VCC (分钟)
t
R
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
传真: 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
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