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LY622568
修订版2.4
256K ×8位低功耗CMOS SRAM
特点
概述
快速存取时间：45 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流： 50/40 / 30毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 3μA @ 5V （典型值）， LL / SL版
2μA @ 3V （ TYP 。 ） SL版
单4.5V 〜 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
提供绿色包装
封装： 32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
32引脚450密耳SOP
32引脚600密耳的P- DIP
该LY622568是2,097,152位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY622568是精心设计的功耗非常低
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY622568单电源工作
供应4.5V 〜 5.5V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
产品系列
产品
家庭
LY622568(LL)
LY622568(LLE)
LY622568(LLI)
LY622568(SL)
LY622568(SLE)
LY622568(SLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC
范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
功耗
Standby(ISB1,TYP.)
工作（ICC ， TYP 。 ）
-
3µA@5V
50/40/30mA
-
3µA@5V
50/40/30mA
-
3µA@5V
50/40/30mA
2μA @ 3V 3μA @ 5V
50/40/30mA
2μA @ 3V 3μA @ 5V
50/40/30mA
2μA @ 3V 3μA @ 5V
50/40/30mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A17
DQ0 - DQ7
解码器
256Kx8
存储阵列
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A17
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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