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LY62256SL-55SL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: LY62256SL-55SL
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内容描述: 32K ×8位低功耗CMOS SRAM [32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 292 K
品牌: LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
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®
LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
DC电气特性
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
V
CC
*1
V
IH
V
IL
*2
测试条件
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
平均开工
电源电流
I
CC1
I
SB
待机功耗
电源电流
I
SB1
V
CC
=2.7~3.6V
V
CC
=4.5~5.5V
V
CC
V
IN
V
SS
V
CC
V
OUT
V
SS
,
输出禁用
I
OH
= -1mA
I
OL
= 2毫安
-35
周期时间=最小。
CE# = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
-55
其他引脚在V
IL
或V
IH
-70
周期时间= 1μs的时间
CE#
0.2V和我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
CE# = V
IH ,
其他引脚在V
IL
或V
IH
LL
LLE / LLI
*5
SL
CE#
V
CC
-0.2V
25℃
*5
SLE
其他人在0.2V或
*5
40℃
SLI
V
CC
- 0.2V
SL
SLE / SLI
分钟。
2.7
2.4
- 0.5
- 0.5
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.3
-
-
-
-
-
3.0
-
20
15
10
3
1
1
1
1
1.5
1
1
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
0.6
0.8
1
1
-
0.4
50
45
40
10
3
20
30
3
4
10
20
单位
V
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
注意事项:
1. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
(分钟) = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点,而不是100 %测试。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
( TYP。 )和T
A
= 25℃
5.该参数测量V
CC
= 3.0V
电容
(T
A
= 25
中,f = 1.0MHz的)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注:这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 50pF的+ 1TTL ,我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
传真: 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
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