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    LY62L51316 参数 Datasheet PDF下载

    LY62L51316图片预览
    型号： LY62L51316
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K x 16位低功耗CMOS SRAM [512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 193 K
    品牌： LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
     浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第7页浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第8页浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第10页浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第11页浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第12页浏览型号LY62L51316的Datasheet PDF文件第13页  
    ®
    LY62L51316
    修订版1.4
    512K x 16位低功耗CMOS SRAM
    数据保持特性
    参数
    符号
    测试条件
    分钟。
    V
    CC
    数据保留
    V
    DR
    1.2
    CE＃
    ≧
    V
    CC
    - 0.2V或CE2
    ≦
    0.2V
    LL
    -
    LLE
    -
    LLI
    -
    V
    CC
    = 1.2V
    SL
    25℃
    -
    数据保持电流
    I
    DR
    CE＃
    ≧
    V
    CC
    -0.2V或CE2
    ≦
    0.2V
    SLE
    其他引脚在0.2V或V
    CC
    -0.2V
    -
    SLI
    40℃
    SL / SLE
    -
    SLI
    -
    芯片禁用到数据
    看到数据保留
    t
    CDR
    0
    保留时间
    波形（下）
    恢复时间
    t
    R
    t
    RC
    *
    t
    RC
    *
    =读周期时间
    典型值。
    -
    2
    2
    2
    1
    1
    1
    1
    -
    -
    马克斯。
    3.6
    25
    30
    40
    3
    3
    15
    20
    -
    -
    单位
    V
    µA
    µA
    µA
    µA
    µA
    µA
    µA
    ns
    ns
    数据保存波形
    低Vcc的数据保存波形（ 1 ）
    （ CE ＃控制）
    V
    DR
    ≧
    1.2V
    VCC
    VCC （分钟）
    t
    CDR
    CE＃
    V
    IH
    CE＃
    ≧
    Vcc-0.2V
    VCC （分钟）
    t
    R
    V
    IH
    低Vcc的数据保存波形（ 2 ）
    （ CE2控制）
    V
    DR
    ≧
    1.2V
    VCC
    VCC （分钟）
    t
    CDR
    CE2
    CE2
    ≦
    0.2V
    V
    IL
    V
    IL
    VCC （分钟）
    t
    R
    低Vcc的数据保存波形（ 3 ）
    （ LB ＃ ， UB ＃控制）
    V
    DR
    ≧
    1.2V
    VCC
    VCC （分钟）
    t
    CDR
    LB ＃ ， UB ＃
    V
    IH
    LB ＃ ， UB ＃
    ≧
    Vcc-0.2V
    VCC （分钟）
    t
    R
    V
    IH
    Lyontek公司
    保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
    5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
    电话： 886-3-6668838
    传真： 886-3-6668836
    8

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